MOSFET onsemi, canale N, 110 mΩ, 2,4 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 184-1067
Codice costruttore:: NTR4170NT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 110 mΩ, 2,4 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,096 €

(IVA esclusa)

0,117 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,096 €	288,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 184-1067
Codice costruttore:: NTR4170NT1G
Costruttore:: onsemi

Datasheet NTR4170NT1G

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	2,4 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	110 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.4V
Tensione di soglia gate minima	0.6V
Dissipazione di potenza massima	480 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±12 V
Larghezza	1.4mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	3.04mm
Carica gate tipica @ Vgs	4,76 nC @ 4,5 V
Numero di elementi per chip	1
Tensione diretta del diodo	1V
Altezza	1.01mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 110 mΩ, 2,4 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N, 30V, ON Semiconductor

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