MOSFET onsemi, canale N 30 V, 110 mΩ Miglioramento, 2.4 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

321,00 €

(IVA esclusa)

393,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 11 ottobre 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,107 €321,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
184-1067
Codice costruttore:
NTR4170NT1G
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

2.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

110mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

480mW

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

4.76nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12V

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.04mm

Altezza

1.01mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.4mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Si tratta di un MOSFET di potenza a canale N da 30 V.

RDS(on) basso per Ridurre Al Minimo la perdita Di Conduzione

Bassa carica di gate

Livelli Di Soglia Bassi

Applicazioni:

Convertitori Di Potenza Per Portatili

Gestione della batteria

Interruttore Di Carico/Alimentazione

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.