- Codice RS:
- 184-1305
- Codice costruttore:
- NTR4170NT1G
- Costruttore:
- onsemi
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Aggiunto
Prezzo per 1 confezione da 100
21,00 €
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25,62 €
(IVA inclusa)
Pack(s) | Per Pack | Per unità* |
1 - 9 | 21,00 € | 0,21 € |
10 - 29 | 16,39 € | 0,164 € |
30 + | 14,19 € | 0,142 € |
*prezzo indicativo |
- Codice RS:
- 184-1305
- Codice costruttore:
- NTR4170NT1G
- Costruttore:
- onsemi
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- CN
Dettagli prodotto
MOSFET di potenza a canale N, 30V, ON Semiconductor
Si tratta di un MOSFET di potenza a canale N da 30 V.
RDS(on) basso per Ridurre Al Minimo la perdita Di Conduzione
Bassa carica di gate
Livelli Di Soglia Bassi
Applicazioni:
Convertitori Di Potenza Per Portatili
Gestione della batteria
Interruttore Di Carico/Alimentazione
Bassa carica di gate
Livelli Di Soglia Bassi
Applicazioni:
Convertitori Di Potenza Per Portatili
Gestione della batteria
Interruttore Di Carico/Alimentazione
Transistor MOSFET, ON Semiconductor
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | N |
Corrente massima continuativa di drain | 2,4 A |
Tensione massima drain source | 30 V |
Tipo di package | SOT-23 |
Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
Numero pin | 3 |
Resistenza massima drain source | 110 mΩ |
Modalità del canale | Enhancement |
Tensione di soglia gate massima | 1.4V |
Tensione di soglia gate minima | 0.6V |
Dissipazione di potenza massima | 480 mW |
Configurazione transistor | Singolo |
Tensione massima gate source | ±12 V |
Larghezza | 1.4mm |
Numero di elementi per chip | 1 |
Carica gate tipica @ Vgs | 4,76 nC @ 4,5 V |
Lunghezza | 3.04mm |
Massima temperatura operativa | +150 °C |
Tensione diretta del diodo | 1V |
Altezza | 1.01mm |
Minima temperatura operativa | -55 °C |
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