MOSFET onsemi, canale Tipo N 30 V, 110 mΩ Miglioramento, 2.4 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie NTR4170NT1G

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 100 unità*

14,48 €

(IVA esclusa)

17,67 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 1 unità in spedizione dal 31 agosto 2026
  • Più 30 unità in spedizione dal 07 luglio 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Confezione/i
Per confezione
Per unità*
1 - 414,48 €0,145 €
5 - 912,49 €0,125 €
10 +10,82 €0,108 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
184-1305
Codice costruttore:
NTR4170NT1G
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

2.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

110mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

4.76nC

Dissipazione di potenza massima Pd

480mW

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

1.4mm

Altezza

1.01mm

Lunghezza

3.04mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Si tratta di un MOSFET di potenza a canale N da 30 V.

RDS(on) basso per Ridurre Al Minimo la perdita Di Conduzione

Bassa carica di gate

Livelli Di Soglia Bassi

Applicazioni:

Convertitori Di Potenza Per Portatili

Gestione della batteria

Interruttore Di Carico/Alimentazione

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.