MOSFET onsemi, canale Tipo N 30 V, 110 mΩ Miglioramento, 2.4 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie NTR4170NT1G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
184-1305
Codice costruttore:
NTR4170NT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

2.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

110mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

4.76nC

Dissipazione di potenza massima Pd

480mW

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.04mm

Altezza

1.01mm

Larghezza

1.4 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Si tratta di un MOSFET di potenza a canale N da 30 V.

RDS(on) basso per Ridurre Al Minimo la perdita Di Conduzione

Bassa carica di gate

Livelli Di Soglia Bassi

Applicazioni:

Convertitori Di Potenza Per Portatili

Gestione della batteria

Interruttore Di Carico/Alimentazione

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