MOSFET onsemi, canale P, 85 mΩ, 2,4 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 688-9152
Codice costruttore:: NTR4101PT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale P, 85 mΩ, 2,4 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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20 - 198	0,305 €	0,61 €
200 - 998	0,265 €	0,53 €
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Codice RS:: 688-9152
Codice costruttore:: NTR4101PT1G
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	2,4 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	85 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	730 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.3mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	7,5 nC a 4,5 V
Lunghezza	2.9mm
Materiale del transistor	Si
Altezza	0.94mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale P, 85 mΩ, 2,4 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale P, 20 V, ON Semiconductor

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