MOSFET Infineon, canale Tipo P 20 V, 280 mΩ Miglioramento, 1.18 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie BSS215PH6327XTSA1

Codice RS:: 145-9489
Codice costruttore:: BSS215PH6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo P 20 V, 280 mΩ Miglioramento, 1.18 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie BSS215PH6327XTSA1

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

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Codice RS:: 145-9489
Codice costruttore:: BSS215PH6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id	1.18A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	20V
	Serie	OptiMOS P
	Tipo di package	SOT-23
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	280mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-12V, +12V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	3.6nC
	Tensione diretta Vf	-1.1V
	Dissipazione di potenza massima Pd	500mW
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	2.9mm
	Larghezza	1.3mm
	Altezza	1mm
	Standard automobilistico	AEC-Q101

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id 1.18A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V
	Serie OptiMOS P
	Tipo di package SOT-23
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 280mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -12V, +12V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 3.6nC
	Tensione diretta Vf -1.1V
	Dissipazione di potenza massima Pd 500mW
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 2.9mm
	Larghezza 1.3mm
	Altezza 1mm
	Standard automobilistico AEC-Q101

Paese di origine:: CN

MOSFET Infineon OptiMOS serie P, tensione massima della sorgente di drenaggio 20 V, resistenza massima della sorgente di drenaggio 280 mΩ - BSS215PH6327XTSA1

Questo MOSFET è un transistor di potenziamento a canale P progettato per applicazioni a montaggio superficiale in sistemi elettronici impegnativi. Offre una funzionalità di commutazione controllata per circuiti a bassa tensione, funzionando in un'ampia gamma ambientale per adattarsi alle condizioni automobilistiche e industriali, ed è alloggiato in un pacchetto SOT-23 compatto per progetti con limiti di spazio.

Caratteristiche e vantaggi:

• La bassa resistenza di accensione di 280 mΩ riduce le perdite di conduzione e le esigenze di dissipazione
• La corrente di drenaggio massima di 1,18 A supporta la capacità di commutazione del carico moderato
• La tensione nominale di drenaggio-sorgente di 20 V consente un funzionamento sicuro in sistemi a 12 V
• La carica gate tipica di 3,6 nC consente una commutazione più rapida con una minore energia di azionamento
• La dissipazione di potenza di 500 mW limita lo stress termico nei progetti a bassa potenza
• La tolleranza nominale gate-source di 12 V garantisce la resistenza al gate overdrive

Applicazioni

• Adatto per la commutazione high-side nei sistemi di gestione della batteria
• Ideale per la disconnessione del carico nei circuiti ausiliari automobilistici
• Utilizzato per il controllo dei convertitori CC-CC in alimentatori compatti
• Può essere utilizzato per la protezione contro l'inversione di polarità in installazioni a 12 V
• Adatto per la commutazione del livello del segnale nei moduli di interfaccia dei sensori

Quale intervallo di temperatura può tollerare durante il funzionamento?

È specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, adattandosi ad ambienti termici estremi.

Come è confezionato il dispositivo per l'assemblaggio su circuiti stampati?

Viene fornito in un contenitore a montaggio superficiale SOT-23 progettato per il posizionamento e la saldatura automatizzati dei circuiti stampati.

Quali considerazioni sull'azionamento del gate devo tenere in considerazione?

Il dispositivo accetta fino a 12 V tra gate e sorgente

i circuiti di gate-drive di sicurezza limitano le escursioni all'interno di questa soglia.

Il dispositivo è adatto per la qualificazione automobilistica?

Soddisfa gli standard AEC‐Q101 appropriati per molti progetti elettronici automobilistici.