MOSFET Infineon, canale Tipo P 30 V, 64 mΩ Miglioramento, 3.6 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie

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Codice RS:
913-4060
Codice costruttore:
IRLML9301TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

3.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SOT-23

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

64mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.3W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

4.8nC

Tensione diretta Vf

-1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.04mm

Altezza

1.02mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.4 mm

Standard automobilistico

No

MOSFET della serie HEXFET di Infineon, tensione massima di uscita di 30 V, corrente di uscita continua massima di 3,6 A - IRLML9301TRPBF


Questo semiconduttore MOSFET è progettato per una gestione efficiente dell'alimentazione in varie applicazioni elettroniche. Presenta un design a montaggio superficiale (SOT-23) per una facile integrazione nei circuiti elettronici compatti. Il componente funziona efficacemente con una corrente di drain continua massima di 3,6A e può gestire una tensione massima drain-source di 30V.

Caratteristiche e vantaggi


• La configurazione della modalità di potenziamento consente un funzionamento efficiente

• L'elevata tensione di soglia del gate aumenta l'affidabilità

• Maggiore resistenza termica

• Ottimizzato per i valori di corrente di scarica tirata, aumentando l'affidabilità delle prestazioni

Applicazioni


• Utilizzato per la gestione dell'alimentazione nei gadget portatili

• Ideale per i sistemi di controllo dell'automazione

• Utilizzato negli amplificatori audio e nei processori di segnale

• Adatto per i convertitori DC-DC nei sistemi di energia rinnovabile

• Ideale per l'azionamento di motori in robotica

Qual è l'impatto del basso valore di resistenza all'accensione sulle prestazioni?


La bassa resistenza di accensione di 64mΩ consente di ridurre la generazione di calore durante il funzionamento, migliorando l'efficienza complessiva e prolungando la durata dei componenti nelle applicazioni ad alta corrente.

In che modo la modalità di potenziamento è vantaggiosa per la progettazione dei circuiti?


La modalità di potenziamento consente al MOSFET di rimanere spento fino al raggiungimento di una specifica tensione di gate, fornendo un controllo di commutazione affidabile adatto a vari progetti elettronici senza inutili perdite di potenza.

Questo componente è in grado di gestire le alte temperature?


Sì, è stato progettato per funzionare in modo affidabile a temperature fino a +150°C, rendendolo adatto ad applicazioni esposte ad ambienti difficili o ad un uso intensivo.

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