MOSFET Infineon, canale N 40 V, 56 mΩ Miglioramento, 3.6 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie

Codice RS:: 913-4051
Codice costruttore:: IRLML0040TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 40 V, 56 mΩ Miglioramento, 3.6 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie

Prezzo per 3000 unità, in una bobina da 3000*

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Codice RS:: 913-4051
Codice costruttore:: IRLML0040TRPBF
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	3.6A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	40V
	Tipo di package	SOT-23
	Serie	HEXFET
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	56mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-16V, +16V
	Dissipazione di potenza massima Pd	1.3W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	2.6nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	1.02mm
	Larghezza	1.4mm
	Lunghezza	3.04mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 3.6A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V
	Tipo di package SOT-23
	Serie HEXFET
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 56mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -16V, +16V
	Dissipazione di potenza massima Pd 1.3W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 2.6nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 1.02mm
	Larghezza 1.4mm
	Lunghezza 3.04mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: PH

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima 3,6A, dissipazione di potenza massima 1,3W - IRLML0040TRPBF

Questo MOSFET di potenza è stato progettato per garantire efficienza e affidabilità in una vasta gamma di circuiti elettronici. Grazie alla bassa resistenza di accensione e alle elevate prestazioni, è adatto alle applicazioni che richiedono efficienza energetica e funzionamento robusto. Questo componente si distingue per la capacità di gestire carichi elettrici significativi, il che lo rende importante per gli ingegneri e i professionisti dei settori dell'automazione e dell'elettronica.

Caratteristiche e vantaggi

• Il basso RDS(on) di 56mΩ riduce le perdite di commutazione

• Supporta la modalità di potenziamento per un controllo efficiente della potenza

• Corrente di drenaggio continua massima di 3,6A per un funzionamento costante

• Funziona con una tensione massima drain-source di 40V

• Progettato per la tecnologia di montaggio superficiale, perfetto per progetti compatti

• Compatibile con la tecnologia HEXFET per prestazioni elevate

Applicazioni

• Ideale per la commutazione di carichi e sistemi

• Utilizzato nei sistemi di azionamento dei motori CC

• Efficace per la commutazione e gli amplificatori ad alta velocità

• Adatto per il montaggio in superficie in circuiti compatti

• Impiegato in vari circuiti elettronici di potenza

Qual è la resistenza termica di questo dispositivo?

La resistenza termica è tipicamente di 100°C/W, garantendo un'efficiente dissipazione del calore durante il funzionamento.

In che modo la tensione di soglia del gate influisce sulle prestazioni del dispositivo?

La tensione di soglia del gate varia da 1,0 V a 2,5 V, offrendo flessibilità nel controllo del gate in diverse applicazioni.

Può gestire correnti di drenaggio pulsate?

Sì, questo componente può sopportare correnti di drenaggio pulsate che superano il suo valore nominale continuo, garantendo l'affidabilità in condizioni transitorie.

Quali fattori influenzano la potenza massima dissipata da questo componente?

La dissipazione di potenza è influenzata principalmente dalla temperatura ambiente e dalla resistenza termica, che influiscono sulla temperatura della giunzione sotto carico.

MOSFET di potenza a canale N da 40 V, Infineon

La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminali e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.