MOSFET Infineon, canale Tipo P 20 V, 95 mΩ Miglioramento, 4.3 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie
- Codice RS:
- 912-8661
- Codice costruttore:
- IRLML2244TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 912-8661
- Codice costruttore:
- IRLML2244TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 4.3A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 20V | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 95mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | -1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.3W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 6.9nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 12V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 1.4mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 3.04mm | |
| Altezza | 1.02mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 4.3A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 95mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf -1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.3W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 6.9nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 12V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 1.4mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 3.04mm | ||
Altezza 1.02mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- PH
MOSFET della serie HEXFET di Infineon, corrente continua massima di drenaggio di 4,3 A, tensione massima della sorgente di drenaggio di 20 V - IRLML2244TRPBF
Questo MOSFET è stato progettato per garantire prestazioni robuste in un contenitore compatto SOT-23. Con una corrente di drenaggio continua massima di 4,3 A e una tensione di drenaggio-sorgente di 20 V, è adatto a varie applicazioni nei settori dell'automazione, dell'elettronica e dell'elettricità. Il dispositivo è dotato di funzionamento in modalità di potenziamento e offre prestazioni affidabili in ambienti ad alta temperatura, mantenendo la funzionalità a temperature fino a +150°C.
Caratteristiche e vantaggi
• Il basso RDS(on) di 54mΩ riduce al minimo le perdite di commutazione
• Compatibile con la piedinatura standard del settore per una facile integrazione
• Alta affidabilità con una dissipazione di potenza massima di 1,3W
• Intervallo di temperatura ristretto per un'efficienza operativa ottimale
• La riduzione della carica di gate aumenta l'efficienza complessiva
Applicazioni
• Ideale per la commutazione a bassa tensione nell'elettronica
• Adatto per la gestione dell'alimentazione nei convertitori DC-DC
• Utilizzato nei sistemi di controllo dei motori per le apparecchiature di automazione
• Utilizzato nei circuiti di alimentazione per una migliore gestione dell'energia
Qual è il significato del basso RDS(on) in questo componente?
La bassa RDS(on) riduce significativamente le perdite di potenza durante il funzionamento, migliorando l'efficienza e le prestazioni, soprattutto nelle applicazioni di commutazione.
In che modo l'intervallo di temperatura di esercizio favorisce la progettazione dei circuiti?
L'intervallo di temperatura di esercizio compreso tra -55°C e +150°C garantisce la versatilità delle applicazioni, consentendo al MOSFET di funzionare in modo affidabile in vari ambienti operativi, dal freddo estremo al calore elevato.
Cosa rende questo dispositivo adatto alla tecnologia di montaggio superficiale?
Il design compatto del contenitore SOT-23 e la piedinatura compatibile facilitano l'integrazione nei layout dei circuiti stampati, migliorando l'efficienza di produzione e consentendo una produzione di massa.
Questo MOSFET può essere utilizzato in applicazioni automobilistiche?
Sì, grazie all'elevata resistenza termica e all'affidabilità a temperature elevate, è adatto alle applicazioni automobilistiche in cui la dissipazione del calore è fondamentale.
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