MOSFET Infineon, canale Tipo P 20 V, 95 mΩ Miglioramento, 4.3 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie IRLML2244TRPBF

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

1,26 €

(IVA esclusa)

1,535 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 265 unità in spedizione dal 13 aprile 2026
  • Più 152.990 unità in spedizione dal 20 aprile 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
5 +0,252 €1,26 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
760-4438
Codice Distrelec:
304-45-314
Codice costruttore:
IRLML2244TRPBF
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

4.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

SOT-23

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

95mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.9nC

Dissipazione di potenza massima Pd

1.3W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.02mm

Lunghezza

3.04mm

Standard automobilistico

No

MOSFET della serie HEXFET di Infineon, corrente continua massima di drenaggio di 4,3 A, tensione massima della sorgente di drenaggio di 20 V - IRLML2244TRPBF


Questo MOSFET è stato progettato per garantire prestazioni robuste in un contenitore compatto SOT-23. Con una corrente di drenaggio continua massima di 4,3 A e una tensione di drenaggio-sorgente di 20 V, è adatto a varie applicazioni nei settori dell'automazione, dell'elettronica e dell'elettricità. Il dispositivo è dotato di funzionamento in modalità di potenziamento e offre prestazioni affidabili in ambienti ad alta temperatura, mantenendo la funzionalità a temperature fino a +150°C.

Caratteristiche e vantaggi


• Il basso RDS(on) di 54mΩ riduce al minimo le perdite di commutazione

• Compatibile con la piedinatura standard del settore per una facile integrazione

• Alta affidabilità con una dissipazione di potenza massima di 1,3W

• Intervallo di temperatura ristretto per un'efficienza operativa ottimale

• La riduzione della carica di gate aumenta l'efficienza complessiva

Applicazioni


• Ideale per la commutazione a bassa tensione nell'elettronica

• Adatto per la gestione dell'alimentazione nei convertitori DC-DC

• Utilizzato nei sistemi di controllo dei motori per le apparecchiature di automazione

• Utilizzato nei circuiti di alimentazione per una migliore gestione dell'energia

Qual è il significato del basso RDS(on) in questo componente?


La bassa RDS(on) riduce significativamente le perdite di potenza durante il funzionamento, migliorando l'efficienza e le prestazioni, soprattutto nelle applicazioni di commutazione.

In che modo l'intervallo di temperatura di esercizio favorisce la progettazione dei circuiti?


L'intervallo di temperatura di esercizio compreso tra -55°C e +150°C garantisce la versatilità delle applicazioni, consentendo al MOSFET di funzionare in modo affidabile in vari ambienti operativi, dal freddo estremo al calore elevato.

Cosa rende questo dispositivo adatto alla tecnologia di montaggio superficiale?


Il design compatto del contenitore SOT-23 e la piedinatura compatibile facilitano l'integrazione nei layout dei circuiti stampati, migliorando l'efficienza di produzione e consentendo una produzione di massa.

Questo MOSFET può essere utilizzato in applicazioni automobilistiche?


Sì, grazie all'elevata resistenza termica e all'affidabilità a temperature elevate, è adatto alle applicazioni automobilistiche in cui la dissipazione del calore è fondamentale.

Link consigliati