MOSFET onsemi, canale P, 10 Ω, 120 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 169-8538
Codice costruttore:: NDS0610
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale P, 10 Ω, 120 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 169-8538
Codice costruttore:: NDS0610
Costruttore:: onsemi

Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	120 mA
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	10 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	360 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	2.92mm
Larghezza	1.3mm
Carica gate tipica @ Vgs	1,8 nC a 10 V
Altezza	0.93mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale P, 10 Ω, 120 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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Modalità di miglioramento MOSFET a canale P, on Semiconductor

Caratteristiche e vantaggi:

Applicazioni:

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