2 MOSFET Infineon MOFSET canale N, canale N, 3 mΩ, 50 A 25 V, Blocco di potenza 5 x 6, Superficie Miglioramento, 8 Pin

Codice RS:: 215-2467
Codice costruttore:: BSG0811NDATMA1
Costruttore:: Infineon

2 MOSFET Infineon MOFSET canale N, canale N, 3 mΩ, 50 A 25 V, Blocco di potenza 5 x 6, Superficie Miglioramento, 8 Pin

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

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Codice RS:: 215-2467
Codice costruttore:: BSG0811NDATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	50A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	25V
	Tipo di package	Blocco di potenza 5 x 6
	Serie	OptiMOS
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	3mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	840mV
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	4.5V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	8.4nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	6.25W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Configurazione transistor	MOFSET canale N
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	1.1mm
	Larghezza	6.1mm
	Standard/Approvazioni	JEDEC, RoHS, IEC61249-2-21
	Lunghezza	5.1mm
	Numero elementi per chip	2
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 50A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 25V
	Tipo di package Blocco di potenza 5 x 6
	Serie OptiMOS
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 840mV
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 4.5V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 8.4nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 6.25W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Configurazione transistor MOFSET canale N
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 1.1mm
	Larghezza 6.1mm
	Standard/Approvazioni JEDEC, RoHS, IEC61249-2-21
	Lunghezza 5.1mm
	Numero elementi per chip 2
	Standard automobilistico No

Datasheet - BSG0811NDATMA1

MOSFET Infineon serie OptiMOS, tensione di sorgente di drenaggio 25 V, corrente di drenaggio continua massima 50 A - BSG0811NDATMA1

Questo MOSFET è un transistor a canale N a montaggio superficiale progettato per la commutazione ad alta corrente in progetti di potenza compatti. Funziona con una topologia a canale N in modalità di potenziamento e incorpora due elementi su un singolo chip per servire le funzioni di doppio interruttore. Il dispositivo è adatto per le applicazioni che richiedono un gate a livello logico e una bassa resistenza in stato attivo in un ambiente a bassa tensione, ed è fornito in un contenitore Power Block 5x6 per layout di schede densi.

Caratteristiche e vantaggi:

• Rds(on) molto bassa di 3 mΩ che consente di ridurre le perdite di conduzione
• Corrente di drenaggio continua massima di 50 A per esigenze di corrente elevata
• Gate a livello logico con limite Vgs di 4,5 V per la compatibilità con l'azionamento diretto
• Carica gate tipica Qg 8,4 nC che supporta transizioni gate veloci
• Dissipazione di potenza nominale di 6,25 W per un'efficace gestione termica
• Intervallo operativo da -55 °C a 150 °C per un'ampia tolleranza alla temperatura

Applicazioni

• Adatto per convertitori buck sincroni negli alimentatori
• Ideale per server VRM e moduli CC-CC ad alta corrente
• Utilizzato con circuiti di gestione della batteria in sistemi a bassa tensione
• Può essere utilizzato per le fasi motore-azionamento in controller compatti
• Adatto per la distribuzione dell'alimentazione ad alta efficienza e la commutazione del carico

Quali sono i limiti termici da considerare durante la progettazione del circuito stampato?

Il dispositivo può funzionare fino a una temperatura di giunzione di 150 °C e dissipa fino a 6,25 W

si consiglia di utilizzare vie termiche e un'adeguata area di rame per gestire il calore.

In che modo la struttura a due elementi influisce sulle scelte di layout?

Due elementi per chip forniscono percorsi di corrente paralleli, riducendo la tensione delle singole matrici e consentendo un posizionamento più stretto per una distribuzione termica simmetrica.

Quali sono le caratteristiche dell'azionamento del gate necessarie per una commutazione efficiente?

Un gate drive compatibile con una tensione nominale massima gate-source di 4,5 V e un basso requisito di carica di 8,4 nC riduce le perdite del gate driver e l'energia di commutazione.

Esistono materiali o standard normativi rilevanti per la selezione?

Il componente è conforme a JEDEC e RoHS ed è realizzato su substrato IEC61249-2-21, indicando materiali standardizzati e requisiti senza piombo.