2 MOSFET Infineon MOFSET canale N, canale Tipo N, 3 mΩ, 50 A 25 V, Blocco di potenza 5 x 6, Superficie Miglioramento, 8

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

5180,00 €

(IVA esclusa)

6320,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 5000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
5000 +1,036 €5.180,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
215-2466
Codice costruttore:
BSG0811NDATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

50A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

25V

Tipo di package

Blocco di potenza 5 x 6

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

4.5 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.84V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8.4nC

Dissipazione di potenza massima Pd

6.25W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

MOFSET canale N

Altezza

1.1mm

Standard/Approvazioni

JEDEC, RoHS, IEC61249-2-21

Lunghezza

5.1mm

Larghezza

6.1 mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Il blocco di potenza Infineon OptiMOS™ 5 è un contenitore SMD senza terminali con profilo in contenitore da 5.0x6.0mm², che include un MOSFET low-side e high-side in una configurazione con convertitore buck sincrono. Sostituendo due contenitori separati, come SO8 o SuperSO8, con il blocco di potenza OptiMOS™ 5, i clienti possono ridurre i progetti fino all'85%. La standardizzazione dei pacchetti energetici offre vantaggi al cliente, poiché il numero di diversi profili di pacchetti disponibili sul mercato è ridotto al minimo.

Corrente di carico media massima 50a

MOSFET low side source-down per un migliore raffreddamento del circuito stampato

Low-side e high side collegati internamente (induttanza ad anello più bassa)

Collegamento Kelvin high side per una guida più efficiente

Link consigliati