MOSFET di potenza Infineon, canale Canale N 40 V, 1.33 mΩ Miglioramento, 193 A, 8 Pin, Nastro e avvolgicavo, Superficie

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Codice RS:
762-930
Codice costruttore:
IAUZN04S7N013ATMA2
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Canale N

Massima corrente di scarico continua Id

193A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

Nastro e avvolgicavo

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.33mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

94W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

37nC

Tensione diretta Vf

0.95V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

2.29mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

2.29mm

Altezza

1.1mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
MY
Il transistor di potenza MOSFET per uso automobilistico Infineon è un MOSFET a canale N con modalità di potenziamento progettato per applicazioni automobilistiche. Funziona in condizioni di alta temperatura e presenta una struttura robusta. Qualificazione estesa oltre AEC-Q101.

Test elettrici migliorati

Design robusto

Conformità alla direttiva RoHS

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

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