MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 650 V Miglioramento, 30 A, 7 Pin, Nastro e avvolgicavo, Superficie

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Codice RS:
261-5041
Codice costruttore:
SCT055HU65G3AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

Nastro e avvolgicavo

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

29nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

3.5mm

Larghezza

14 mm

Lunghezza

18.58mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MA

MOSFET di potenza in carburo di silicio per uso automobilistico da 650 V, 58 mOhm tip., 30 A in un contenitore HU3PAK


Il dispositivo MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando l'avanzata e innovativa tecnologia MOSFET SiC di terza generazione di ST. Il dispositivo è caratterizzato da un RDS(on) molto basso sull'intera gamma di temperature combinato con basse capacità e operazioni di commutazione molto elevate, che migliorano le prestazioni dell'applicazione in termini di frequenza, efficienza energetica, dimensioni del sistema e riduzione del peso.

Certificazione AEC-Q101

RDS(on) molto basso sull'intera gamma di temperature

Prestazioni di commutazione ad alta velocità

Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto

Pin di rilevamento sorgente per una maggiore efficienza

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