MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 650 V Miglioramento, 30 A, 7 Pin, Nastro e avvolgicavo, Superficie

Codice RS:: 261-5043
Codice costruttore:: SCT055HU65G3AG
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 650 V Miglioramento, 30 A, 7 Pin, Nastro e avvolgicavo, Superficie

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Costruttore:: STMicroelectronics

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Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	STMicroelectronics
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	30A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	650V
	Tipo di package	Nastro e avvolgicavo
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	7
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	29nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	22 V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	18.58mm
	Altezza	3.5mm
	Larghezza	14 mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

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	Marchio STMicroelectronics
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 30A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V
	Tipo di package Nastro e avvolgicavo
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 7
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 29nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 22 V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 18.58mm
	Altezza 3.5mm
	Larghezza 14 mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

Datasheet - SCT055HU65G3AG

Paese di origine:: MA

MOSFET di potenza in carburo di silicio per uso automobilistico da 650 V, 58 mOhm tip., 30 A in un contenitore HU3PAK

Il dispositivo MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando l'avanzata e innovativa tecnologia MOSFET SiC di terza generazione di ST. Il dispositivo è caratterizzato da un RDS(on) molto basso sull'intera gamma di temperature combinato con basse capacità e operazioni di commutazione molto elevate, che migliorano le prestazioni dell'applicazione in termini di frequenza, efficienza energetica, dimensioni del sistema e riduzione del peso.

Certificazione AEC-Q101

RDS(on) molto basso sull'intera gamma di temperature

Prestazioni di commutazione ad alta velocità

Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto

Pin di rilevamento sorgente per una maggiore efficienza

MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 650 V Miglioramento, 30 A, 7 Pin, Nastro e avvolgicavo, Superficie

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

MOSFET di potenza in carburo di silicio per uso automobilistico da 650 V, 58 mOhm tip., 30 A in un contenitore HU3PAK

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