MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 800 V, 380 mΩ Miglioramento, 10 A, Nastro e avvolgicavo, Superficie STD80N450K6

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
261-5045
Codice costruttore:
STD80N450K6
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

10A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Tipo di package

Nastro e avvolgicavo

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

380mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

17.3nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione STMicroelectronics è progettato utilizzando la tecnologia MDmesh K5 basata su un'innovativa struttura verticale proprietaria. Il risultato è una drastica riduzione della resistenza in stato attivo e una carica di gate estremamente bassa per le applicazioni che richiedono una densità di potenza superiore e un'elevata efficienza.

Migliore RDS(on) x area al mondo

Migliore FOM (Figure of Merit) al mondo

Carica gate ultra bassa

Testato al 100% contro le valanghe

Protezione Zener

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