MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 1200 V, 1.9 Ω Miglioramento, 7 A, 3 Pin, Nastro e avvolgicavo, Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
261-5047
Codice costruttore:
STH12N120K5-2AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

Nastro e avvolgicavo

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.9Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

36nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

4.7mm

Lunghezza

15.8mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione STMicroelectronics è progettato utilizzando la tecnologia MDmesh K5 basata su un'innovativa struttura verticale proprietaria. Il risultato è una drastica riduzione della resistenza in stato attivo e una carica di gate estremamente bassa per le applicazioni che richiedono una densità di potenza superiore e un'elevata efficienza.

Certificazione AEC-Q101

RDS(on) x area più bassa del settore

Migliore FoM (figura di merito) del settore

Carica gate ultrabassa

Testato al 100% contro le valanghe

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