MOSFET STMicroelectronics, canale N 1.2 kV, 1.9 Ω Miglioramento, 7 A, 3 Pin, Nastro e avvolgicavo, Superficie
- Codice RS:
- 261-5047
- Codice costruttore:
- STH12N120K5-2AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 261-5047
- Codice costruttore:
- STH12N120K5-2AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 7A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1.2kV | |
| Tipo di package | Nastro e avvolgicavo | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.9Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 36nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 4.7mm | |
| Lunghezza | 15.8mm | |
| Larghezza | 10.4mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 7A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1.2kV | ||
Tipo di package Nastro e avvolgicavo | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.9Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 36nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 4.7mm | ||
Lunghezza 15.8mm | ||
Larghezza 10.4mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione STMicroelectronics è progettato utilizzando la tecnologia MDmesh K5 basata su un'innovativa struttura verticale proprietaria. Il risultato è una drastica riduzione della resistenza in stato attivo e una carica di gate estremamente bassa per le applicazioni che richiedono una densità di potenza superiore e un'elevata efficienza.
Certificazione AEC-Q101
RDS(on) x area più bassa del settore
Migliore FoM (figura di merito) del settore
Carica gate ultrabassa
Testato al 100% contro le valanghe
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