MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 1200 V, 1.9 Ω Miglioramento, 7 A, 3 Pin, Nastro e avvolgicavo, Superficie

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*

8222,00 €

(IVA esclusa)

10.031,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 04 febbraio 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
1000 - 10008,222 €8.222,00 €
2000 - 20008,012 €8.012,00 €
3000 +7,811 €7.811,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
261-5046
Codice costruttore:
STH12N120K5-2AG
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

Nastro e avvolgicavo

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.9Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

36nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

4.7mm

Lunghezza

15.8mm

Larghezza

10.4 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione STMicroelectronics è progettato utilizzando la tecnologia MDmesh K5 basata su un'innovativa struttura verticale proprietaria. Il risultato è una drastica riduzione della resistenza in stato attivo e una carica di gate estremamente bassa per le applicazioni che richiedono una densità di potenza superiore e un'elevata efficienza.

Certificazione AEC-Q101

RDS(on) x area più bassa del settore

Migliore FoM (figura di merito) del settore

Carica gate ultrabassa

Testato al 100% contro le valanghe

Link consigliati