MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 1200 V, 690 mΩ Miglioramento, 12 A, 3 Pin, H2PAK, Superficie STH12N120K5-2

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
233-3041
Codice costruttore:
STH12N120K5-2
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

12A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

H2PAK

Serie

STB37N60

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

690mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.5V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

250W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

44.2nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.4mm

Larghezza

15.8 mm

Altezza

4.8mm

Standard automobilistico

No

I MOSFET di potenza a canale N ad altissima tensione STMicroelectronics sono progettati utilizzando la tecnologia MDmesh™ K5 basata su un'innovativa struttura verticale proprietaria. Il risultato è una notevole riduzione della resistenza in stato attivo e della carica di gate ultra bassa per le applicazioni che richiedono un'eccellente densità di potenza ed elevata efficienza.

Miglior FOM a livello mondiale (figura di merito)

Carica di gate ultra bassa

Testato con effetto valanga al 100%

Protezione Zener

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