MOSFET STMicroelectronics, canale N 1.2 kV, 203 mΩ Miglioramento, 20 A, 3 Pin, H2PAK-2, Superficie SCT20N120H

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
201-4416
Codice costruttore:
SCT20N120H
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1.2kV

Tipo di package

H2PAK-2

Serie

SiC MOSFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

203mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

45nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

4.7mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

15.8mm

Altezza

10.4mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è prodotto sfruttando le proprietà Advanced e innovative dei materiali a larga banda proibita. Il materiale SiC ha eccezionali proprietà termiche.

Variazione molto stretta della resistenza in stato attivo rispetto a. Temperatura

Capacità di temperatura di giunzione d'esercizio molto elevata

Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto

Bassa capacitanza

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