MOSFET di potenza STMicroelectronics, canale Canale N 650 V, 21.5 mΩ Miglioramento, 60 A, 7 Pin, HU3PAK, Montaggio
- Codice RS:
- 719-466
- Codice costruttore:
- SCT018HU65G3AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
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- SCT018HU65G3AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | Canale N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 60A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | Sct | |
| Tipo di package | HU3PAK | |
| Tipo montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 7 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 21.5mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 2.6V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 388W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 79.4nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 22 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 19mm | |
| Larghezza | 14.1 mm | |
| Altezza | 3.6mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale Canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 60A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie Sct | ||
Tipo di package HU3PAK | ||
Tipo montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 7 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 21.5mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 2.6V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 388W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 79.4nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 22 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 19mm | ||
Larghezza 14.1 mm | ||
Altezza 3.6mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il dispositivo MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando la tecnologia MOSFET SiC avanzata e innovativa di 3a generazione di ST. Il dispositivo è caratterizzato da un RDS(on) molto basso sull'intera gamma di temperature combinato con basse capacità e operazioni di commutazione molto elevate, che migliorano le prestazioni dell'applicazione in termini di frequenza, efficienza energetica, dimensioni del sistema e riduzione del peso.
RDS(on) molto basso per l'intero intervallo di temperatura
Elevate prestazioni di commutazione
Diodo intrinseco molto veloce e robusto
Perno di rilevamento sorgente per una maggiore efficienza