Canale N MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N, 54 A 600 V, HU3PAK, Superficie Miglioramento, 7 Pin STHU60N046DM9AG

Prezzo per 1 bobina da 600 unità*

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Codice RS:
481-130
Codice costruttore:
STHU60N046DM9AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

54A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

HU3PAK

Serie

STHU60

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Configurazione transistor

Canale N

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

11.9mm

Larghezza

14.1 mm

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Altezza

3.6mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
JP
Il MOSFET di potenza a canale N di STMicroelectronics si basa sull'avanzata tecnologia MDmesh DM9 a supergiunzione, progettata per applicazioni a media e alta tensione. Presenta una RDS(on) molto bassa per area e un diodo di recupero rapido integrato. La tecnologia DM9 utilizza un processo di produzione multi-drain per migliorare la struttura e le prestazioni del dispositivo. Grazie alla bassa carica di recupero (Qrr), al rapido tempo di recupero (trr) e alla bassa RDS(on), questo MOSFET a commutazione rapida è ideale per le topologie a ponte ad alta efficienza e per i convertitori a sfasamento ZVS.

Bassa carica e resistenza del gate

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

Robustezza dv/dt estremamente elevata

Eccellenti prestazioni di commutazione grazie al pin di pilotaggio supplementare

Certificazione AEC-Q100

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