MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 750 V, 30 A Miglioramento, HU3PAK, Superficie, 7 Pin SCT060HU75G3AG

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
215-240
Codice costruttore:
SCT060HU75G3AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

750V

Serie

SCT

Tipo di package

HU3PAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Modalità canale

Miglioramento

Paese di origine:
JP
Il dispositivo MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando la tecnologia MOSFET SiC avanzata e innovativa di 3a generazione di ST. Il dispositivo è caratterizzato da un RDS(on) molto basso sull'intera gamma di temperature combinato con basse capacità e operazioni di commutazione molto elevate, che migliorano le prestazioni dell'applicazione in termini di frequenza, efficienza energetica, dimensioni del sistema e riduzione del peso.

Elevate prestazioni di commutazione

Diodo intrinseco molto veloce e robusto

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