MOSFET STMicroelectronics, canale N, 30 A, HU3PAK, Montaggio superficiale

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Codice RS:
215-240
Codice costruttore:
SCT060HU75G3AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

30 A

Tensione massima drain source

750 V

Serie

SCT

Tipo di package

HU3PAK

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

7

Modalità del canale

Enhancement

Materiale del transistor

SiC

Numero di elementi per chip

1

Paese di origine:
JP
Il dispositivo MOSFET di potenza al carburo di silicio della STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando l'avanzata e innovativa tecnologia SiC MOSFET di terza generazione della ST. Il dispositivo è caratterizzato da un RDS(on) molto basso sull'intera gamma di temperature combinato con basse capacità e operazioni di commutazione molto elevate, che migliorano le prestazioni dell'applicazione in termini di frequenza, efficienza energetica, dimensioni del sistema e riduzione del peso.

Prestazioni di commutazione ad alta velocità
Diodo a corpo intrinseco molto veloce e robusto

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