Canale N MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N, 51 A 650 V, HU3PAK, Superficie N, 7 Pin STHU65N050DM9AG

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Codice RS:
481-133
Codice costruttore:
STHU65N050DM9AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

51A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

STHU65

Tipo di package

HU3PAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Modalità canale

N

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Canale N

Altezza

3.6mm

Larghezza

14.1 mm

Lunghezza

11.9mm

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
JP
Il MOSFET di potenza a canale N di STMicroelectronics è costruito con la tecnologia super-giunzione MDmesh DM9, ideale per applicazioni a media e alta tensione. Offre una RDS(on) bassissima per area e integra un diodo di recupero rapido. L'avanzato processo DM9 a base di silicio presenta una struttura multi-drain che migliora le prestazioni complessive del dispositivo. Grazie alla carica di recupero molto bassa (Qrr), al breve tempo di recupero (trr) e alla minima RDS(on), questo MOSFET a commutazione rapida è perfettamente adatto alle topologie a ponte ad alta efficienza e ai convertitori a sfasamento ZVS.

Bassa carica e resistenza del gate

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

Robustezza dv/dt estremamente elevata

Eccellenti prestazioni di commutazione grazie al pin di pilotaggio supplementare

Certificazione AEC-Q100

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