MOSFET di potenza STMicroelectronics, canale Canale N 650 V, 110 mΩ N, 26 A, 7 Pin, HU3PAK, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 762-553
- Codice costruttore:
- STHU65N110DM9AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 762-553
- Codice costruttore:
- STHU65N110DM9AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | Canale N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 26A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | HU3PAK | |
| Serie | STHU65N1 | |
| Tipo montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 7 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 110mΩ | |
| Modalità canale | N | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±30 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 179W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 78nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.6V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 11.9mm | |
| Standard/Approvazioni | AEC-Q101 | |
| Larghezza | 14.1 mm | |
| Altezza | 0.95mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale Canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 26A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package HU3PAK | ||
Serie STHU65N1 | ||
Tipo montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 7 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 110mΩ | ||
Modalità canale N | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±30 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 179W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 78nC | ||
Tensione diretta Vf 1.6V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 11.9mm | ||
Standard/Approvazioni AEC-Q101 | ||
Larghezza 14.1 mm | ||
Altezza 0.95mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- JP
Il MOSFET Super Junction Power N-Channel di STMicroelectronics è un dispositivo di potenza ad alta efficienza basato sulla tecnologia Advanced MDmesh M9 Super Junction. È progettato per applicazioni a media o alta tensione in cui le basse perdite di conduzione e la commutazione rapida sono fondamentali.
FOM molto bassa
Maggiore capacità dv/dt
Eccellenti prestazioni di commutazione
Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga