MOSFET di potenza STMicroelectronics, canale Canale N 650 V, 110 mΩ N, 26 A, 7 Pin, HU3PAK, Superficie STHU65N110DM9AG

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Codice RS:
762-553
Codice costruttore:
STHU65N110DM9AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

26A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

STHU65N1

Tipo di package

HU3PAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

110mΩ

Modalità canale

N

Dissipazione di potenza massima Pd

179W

Tensione diretta Vf

1.6V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

78nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

0.95mm

Larghezza

14.1mm

Lunghezza

11.9mm

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
JP
Il MOSFET Super Junction Power N-Channel di STMicroelectronics è un dispositivo di potenza ad alta efficienza basato sulla tecnologia Advanced MDmesh M9 Super Junction. È progettato per applicazioni a media o alta tensione in cui le basse perdite di conduzione e la commutazione rapida sono fondamentali.

FOM molto bassa

Maggiore capacità dv/dt

Eccellenti prestazioni di commutazione

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

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