MOSFET di potenza STMicroelectronics, canale N 650 V, 110 mΩ N, 26 A, 7 Pin, HU3PAK, Superficie STHU65N110DM9AG

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Codice RS:
762-553
Codice costruttore:
STHU65N110DM9AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

26A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

STHU65N1

Tipo di package

HU3PAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

110mΩ

Modalità canale

N

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

179W

Tensione diretta Vf

1.6V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

78nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

14.1mm

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Lunghezza

11.9mm

Altezza

950μm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
JP
Il MOSFET Super Junction Power N-Channel di STMicroelectronics è un dispositivo di potenza ad alta efficienza basato sulla tecnologia Advanced MDmesh M9 Super Junction. È progettato per applicazioni a media o alta tensione in cui le basse perdite di conduzione e la commutazione rapida sono fondamentali.

FOM molto bassa

Maggiore capacità dv/dt

Eccellenti prestazioni di commutazione

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

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