MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 750 V, 58 mΩ Miglioramento, 30 A, 7 Pin, HU3PAK, Superficie SCT060HU75G3AG
- Codice RS:
- 152-111
- Codice costruttore:
- SCT060HU75G3AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 152-111
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- SCT060HU75G3AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
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Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 30A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 750V | |
| Tipo di package | HU3PAK | |
| Serie | SCT060HU | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 7 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 58mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 29nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±18 V | |
| Tensione diretta Vf | 3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Larghezza | 19 mm | |
| Altezza | 3.6mm | |
| Lunghezza | 14.1mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 30A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 750V | ||
Tipo di package HU3PAK | ||
Serie SCT060HU | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 7 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 58mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 29nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±18 V | ||
Tensione diretta Vf 3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Larghezza 19 mm | ||
Altezza 3.6mm | ||
Lunghezza 14.1mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- JP
Il dispositivo MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando la tecnologia MOSFET SiC avanzata e innovativa di 3a generazione di ST. Il dispositivo è caratterizzato da un RDS(on) molto basso sull'intera gamma di temperature combinato con basse capacità e operazioni di commutazione molto elevate, che migliorano le prestazioni dell'applicazione in termini di frequenza, efficienza energetica, dimensioni del sistema e riduzione del peso.
Certificazione AEC-Q101
Elevate prestazioni di commutazione
Diodo intrinseco molto veloce e robusto
Perno di rilevamento sorgente per una maggiore efficienza
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