Canale N MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N, 54 A 600 V, HU3PAK, Superficie Miglioramento, 7 Pin
- Codice RS:
- 481-132
- Codice costruttore:
- STHU60N046DM9AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 481-132
- Codice costruttore:
- STHU60N046DM9AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 54A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Tipo di package | HU3PAK | |
| Serie | STHU60 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 7 | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Configurazione transistor | Canale N | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 3.6mm | |
| Standard/Approvazioni | AEC-Q101 | |
| Larghezza | 14.1 mm | |
| Lunghezza | 11.9mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 54A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Tipo di package HU3PAK | ||
Serie STHU60 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 7 | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Configurazione transistor Canale N | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 3.6mm | ||
Standard/Approvazioni AEC-Q101 | ||
Larghezza 14.1 mm | ||
Lunghezza 11.9mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- JP
Il MOSFET di potenza a canale N di STMicroelectronics si basa sull'avanzata tecnologia MDmesh DM9 a supergiunzione, progettata per applicazioni a media e alta tensione. Presenta una RDS(on) molto bassa per area e un diodo di recupero rapido integrato. La tecnologia DM9 utilizza un processo di produzione multi-drain per migliorare la struttura e le prestazioni del dispositivo. Grazie alla bassa carica di recupero (Qrr), al rapido tempo di recupero (trr) e alla bassa RDS(on), questo MOSFET a commutazione rapida è ideale per le topologie a ponte ad alta efficienza e per i convertitori a sfasamento ZVS.
Bassa carica e resistenza del gate
Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga
Robustezza dv/dt estremamente elevata
Eccellenti prestazioni di commutazione grazie al pin di pilotaggio supplementare
Certificazione AEC-Q100
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