MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 30 V, 45 mΩ Miglioramento, 55 A, 7 Pin, HU3PAK, Foro passante
- Codice RS:
- 240-0608
- Codice costruttore:
- STHU32N65DM6AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Prezzo per 1 bobina da 600 unità*
3025,20 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 600 + | 5,042 € | 3.025,20 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 240-0608
- Codice costruttore:
- STHU32N65DM6AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 55A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Serie | STH | |
| Tipo di package | HU3PAK | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 7 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 45mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 25 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 320W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 52.6nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.5V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | UL | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 55A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Serie STH | ||
Tipo di package HU3PAK | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 7 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 45mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 25 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 320W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 52.6nC | ||
Tensione diretta Vf 1.5V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni UL | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione STMicroelectronics fa parte della serie di diodi a recupero rapido DM6 MDmesh. Rispetto alla generazione rapida MDmesh precedente, il DM6 combina carica di recupero molto bassa (Qrr), tempo di recupero (trr) e eccellente miglioramento di RDS(on) per area con uno dei comportamenti di commutazione più efficaci disponibili sul mercato per le topologie a ponte più impegnative ad alta efficienza e i convertitori a spostamento di fase ZVS.
Certificazione AEC-Q101
Diodo corpo a recupero rapido
RDS(on) inferiore per area rispetto alla generazione precedente
Carica gate bassa, capacità di ingresso e resistenza
Testato a valanga al 100%
Estremamente robusto dv/dt
Protezione Zener
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