MOSFET STMicroelectronics, canale N, 75 A, HU3PAK, Montaggio superficiale

Il MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione STMicroelectronics fa parte della serie di diodi a recupero rapido DM6 MDmesh. Rispetto alla generazione rapida MDmesh precedente, il DM6 combina carica di recupero molto bassa (Qrr), tempo di recupero (trr) e eccellente miglioramento di RDS(on) per area con uno dei comportamenti di commutazione più efficaci disponibili sul mercato per le topologie a ponte più impegnative ad alta efficienza e i convertitori a spostamento di fase ZVS.

Certificazione AEC-Q101
Diodo corpo a recupero rapido
RDS(on) inferiore per area rispetto alla generazione precedente
Carica gate bassa, capacità di ingresso e resistenza
Testato a valanga al 100%
Estremamente robusto dv/dt
Protezione Zener