MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 650 V, 45 mΩ Miglioramento, 55 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

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Codice RS:
239-5543
Codice costruttore:
STP80N240K6
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

55A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

STP

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

45mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

140W

Tensione diretta Vf

1.5V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

4.6mm

Standard/Approvazioni

UL

Larghezza

10.4 mm

Lunghezza

28.9mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di potenza a canale N ad altissima tensione STMicroelectronics è progettato utilizzando la tecnologia MDmesh K6 di ultima generazione basata su 20 anni di esperienza STMicroelectronics sulla tecnologia a super giunzione. Il risultato è la migliore resistenza in stato attivo della categoria per area e carica di gate per le applicazioni che richiedono un'eccellente densità di potenza ed elevata efficienza. Questo MOSFET è consigliato per la topologia flyback, applicazioni basate su illuminazione a LED, caricabatterie e adattatori. Maggiore densità di potenza per ridurre sia il costo BOM che le dimensioni della scheda.

Migliore RDS(ON) x area in tutto il mondo

Miglior FOM a livello mondiale (figura di merito)

Carica di gate ultra bassa

Testato con effetto valanga al 100%

Protezione Zener

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