MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 650 V, 45 mΩ Miglioramento, 55 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante STP80N240K6

Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

30,24 €

(IVA esclusa)

36,895 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 20 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 456,048 €30,24 €
50 - 1205,51 €27,55 €
125 +4,592 €22,96 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
239-5544
Codice costruttore:
STP80N240K6
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

55A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

STP

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

45mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.5V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Dissipazione di potenza massima Pd

140W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

UL

Lunghezza

28.9mm

Altezza

4.6mm

Larghezza

10.4mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di potenza a canale N ad altissima tensione STMicroelectronics è progettato utilizzando la tecnologia MDmesh K6 di ultima generazione basata su 20 anni di esperienza STMicroelectronics sulla tecnologia a super giunzione. Il risultato è la migliore resistenza in stato attivo della categoria per area e carica di gate per le applicazioni che richiedono un'eccellente densità di potenza ed elevata efficienza. Questo MOSFET è consigliato per la topologia flyback, applicazioni basate su illuminazione a LED, caricabatterie e adattatori. Maggiore densità di potenza per ridurre sia il costo BOM che le dimensioni della scheda.

Migliore RDS(ON) x area in tutto il mondo

Miglior FOM a livello mondiale (figura di merito)

Carica di gate ultra bassa

Testato con effetto valanga al 100%

Protezione Zener

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.