MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 650 V, 45 mΩ Miglioramento, 55 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante STP65N045M9

Il prodotto STMicroelectronics è un MOSFET di potenza a canale N basato sulla più innovativa tecnologia di supergiunzione MDmesh DM9, adatto per MOSFET di media o alta tensione con bassissimo RDS on per area accoppiato con un diodo di recupero rapido. La tecnologia DM9 a base di silicio beneficia di un processo di fabbricazione multi-drain che consente una struttura del dispositivo migliorata. Il prodotto risultante ha una delle più basse resistenze all'accensione e valori di carica del gate ridotti, tra tutti i MOSFET di potenza a supergiunzione a commutazione rapida basati sul silicio, il che lo rende particolarmente adatto per le applicazioni che richiedono una densità di potenza superiore e un'eccezionale efficienza.

Migliore FOM RDS on Qg al mondo tra i dispositivi a base di silicio