MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 650 V, 45 mΩ Miglioramento, 55 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante STP60N043DM9

Il prodotto STMicroelectronics è un MOSFET di potenza a canale N basato sulla più innovativa tecnologia di supergiunzione MDmesh DM9, adatto per MOSFET di media o alta tensione con bassissimo RDS on per area accoppiato con un diodo di recupero rapido. La tecnologia DM9 a base di silicio beneficia di un processo di fabbricazione multi-drain che consente una struttura del dispositivo migliorata. Il diodo di recupero rapido caratterizzato da tempo, RDS on e carica di recupero molto bassi rende questo MOSFET di potenza a supergiunzione a commutazione rapida adatto per le topologie a ponte ad alta efficienza e i convertitori con spostamento di fase ZVS più impegnativi.

Diodo corpo con recupero rapido