MOSFET STMicroelectronics, canale N, 56 A, TO-220, Su foro

Il prodotto STMicroelectronics è un MOSFET di potenza a canale N basato sulla più innovativa tecnologia di supergiunzione MDmesh DM9, adatto per MOSFET di media o alta tensione con bassissimo RDS on per area accoppiato con un diodo di recupero rapido. La tecnologia DM9 a base di silicio beneficia di un processo di fabbricazione multi-drain che consente una struttura del dispositivo migliorata. Il diodo di recupero rapido caratterizzato da tempo, RDS on e carica di recupero molto bassi rende questo MOSFET di potenza a supergiunzione a commutazione rapida adatto per le topologie a ponte ad alta efficienza e i convertitori con spostamento di fase ZVS più impegnativi.

Diodo corpo con recupero rapido
Miglior RDS on del mondo per area tra i dispositivi di recupero rapido basati sul silicio
Bassa carica gate, capacità di ingresso e resistenza
100% testato a valanga
Robustezza dv/dt estremamente elevata