MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 650 V, 45 mΩ Miglioramento, 55 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

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Codice RS:
248-9686
Codice costruttore:
STP60N043DM9
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

55A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-220

Serie

STP

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

45mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

245W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Tensione diretta Vf

1.5V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

4.6mm

Standard/Approvazioni

UL

Larghezza

10.4 mm

Lunghezza

28.9mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il prodotto STMicroelectronics è un MOSFET di potenza a canale N basato sulla più innovativa tecnologia di supergiunzione MDmesh DM9, adatto per MOSFET di media o alta tensione con bassissimo RDS on per area accoppiato con un diodo di recupero rapido. La tecnologia DM9 a base di silicio beneficia di un processo di fabbricazione multi-drain che consente una struttura del dispositivo migliorata. Il diodo di recupero rapido caratterizzato da tempo, RDS on e carica di recupero molto bassi rende questo MOSFET di potenza a supergiunzione a commutazione rapida adatto per le topologie a ponte ad alta efficienza e i convertitori con spostamento di fase ZVS più impegnativi.

Diodo corpo con recupero rapido

Miglior RDS on del mondo per area tra i dispositivi di recupero rapido basati sul silicio

Bassa carica gate, capacità di ingresso e resistenza

100% testato a valanga

Robustezza dv/dt estremamente elevata

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