MOSFET STMicroelectronics, canale N 650 V, 45 mΩ Miglioramento, 55 A, 3 Pin, TO-252, Foro passante STD86N3LH5

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
239-6330
Codice costruttore:
STD86N3LH5
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

55A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

STD

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

45mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

14nC

Dissipazione di potenza massima Pd

70W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.5V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

UL

Larghezza

6.2mm

Lunghezza

6.6mm

Altezza

2.4mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il dispositivo MOSFET STMicroelectronics è un MOSFET di potenza a canale N sviluppato utilizzando la tecnologia STMicroelectronics STripFET H5. Questo dispositivo è stato ottimizzato per ottenere una resistenza in stato attivo molto bassa.

Bassa resistenza in stato attivo RDSon

Elevata resistenza alle valanghe

Basse perdite di potenza dello stadio pilota

30 V Vdss

ID 80 A.

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