MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 650 V, 420 mΩ Miglioramento, 10 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
188-8285
Codice costruttore:
STD11N60DM2
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

10A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

420mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.6V

Dissipazione di potenza massima Pd

110W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

16.5nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.2 mm

Lunghezza

6.6mm

Altezza

2.17mm

Standard automobilistico

No

Questo MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione fa parte della serie di diodi a recupero rapido MDmesh™ DM2. Offre una carica di recupero molto bassa (Qrr) e un tempo (trr) combinati con un RDS(on) basso, rendendola adatta per i convertitori ad alta efficienza più esigenti e ideale per topologie a ponte e convertitori a sfasamento ZVS.

Diodo corpo a recupero rapido

Capacità di ingresso e carica del gate estremamente bassa

Bassa resistenza in stato attivo

Robustezza dv/dt estremamente elevata

Protezione Zener

Applications

Applicazioni di commutazione

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