MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 650 V, 680 mΩ Miglioramento, 7 A, 3 Pin, TO-252, Superficie STD11N65M2

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
188-8395
Codice costruttore:
STD11N65M2
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

680mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

100nC

Tensione diretta Vf

1.6V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

85W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.6mm

Altezza

2.17mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.2 mm

Standard automobilistico

No

Questi dispositivi sono MOSFET di potenza a canale N sviluppati utilizzando la tecnologia MDmesh M2. Grazie alla loro disposizione a strisce e alla struttura verticale migliorata, questi dispositivi presentano una bassa resistenza all'accensione e caratteristiche di commutazione ottimizzate, rendendoli adatti ai convertitori ad alta efficienza più esigenti.

Carica di gate estremamente bassa

Eccellente profilo di capacità di uscita (COSS)

Protezione Zener

Applications

Applicazioni di commutazione

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