MOSFET STMicroelectronics, canale N, 279 mΩ, 12 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Codice RS:: 168-7560
Codice costruttore:: STD16N65M5
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 279 mΩ, 12 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

2988 Disponibile per la consegna entro 4 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)

Prezzo per Unità (Su Bobina da 2500)

1,612 €

(IVA esclusa)

1,967 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per bobina*
2500 +	1,612 €	4.030,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 168-7560
Codice costruttore:: STD16N65M5
Costruttore:: STMicroelectronics

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

MDmesh™ a canale N serie M5, STMicroelectronics

I MOSFET di potenza MDmesh M5 sono ottimizzati per le topologie PFC e PWM ad alta potenza. Le caratteristiche principali includono una bassa perdita in stato attivo per ogni area di silicio unitamente a una bassa carica di gate. Sono progettati per applicazioni hard switching compatte, affidabili e a risparmio energetico, come ad esempio convertitori di energia solare, alimentatori per prodotti di consumo e comandi di illuminazione elettronici.

Transistor MOSFET, STMicroelectronics

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	12 A
Tensione massima drain source	650 V
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Serie	MDmesh M5
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	279 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	90 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-25 V, +25 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	6.2mm
Lunghezza	6.6mm
Carica gate tipica @ Vgs	31 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Altezza	2.4mm