MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 650 V, 680 mΩ Miglioramento, 7 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
188-8286
Codice costruttore:
STD11N65M2
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

680mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Dissipazione di potenza massima Pd

85W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

100nC

Tensione diretta Vf

1.6V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

6.2 mm

Altezza

2.17mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.6mm

Standard automobilistico

No

Questi dispositivi sono MOSFET di potenza a canale N sviluppati utilizzando la tecnologia MDmesh M2. Grazie alla loro disposizione a strisce e alla struttura verticale migliorata, questi dispositivi presentano una bassa resistenza all'accensione e caratteristiche di commutazione ottimizzate, rendendoli adatti ai convertitori ad alta efficienza più esigenti.

Carica di gate estremamente bassa

Eccellente profilo di capacità di uscita (COSS)

Protezione Zener

Applications

Applicazioni di commutazione

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