MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 650 V, 780 mΩ Miglioramento, 5.5 A, 3 Pin, TO-252, Superficie STD9N60M2

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
786-3628
Codice costruttore:
STD9N60M2
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

5.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

MDmesh M2

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

780mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25V

Tensione diretta Vf

1.6V

Dissipazione di potenza massima Pd

60W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.6mm

Larghezza

6.2mm

Altezza

2.4mm

Standard automobilistico

No

MDmesh™ a canale N serie M2, STMicroelectronics


Una gamma di MOSFET di potenza ad alta tensione di STMicroelecronics. Grazie alla carica di gate bassa e all'eccellente capacità di uscita, la serie MDmesh M2 è perfetta per l'uso in alimentatori switching risonanti (convertitori LLC).

Transistor MOSFET, STMicroelectronics


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