MOSFET di potenza STMicroelectronics, canale Tipo N 1200 V, 63 mΩ Miglioramento, 30 A, 7 Pin, HU3PAK, Superficie
- Codice RS:
- 215-242
- Codice costruttore:
- SCT070HU120G3AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 215-242
- Codice costruttore:
- SCT070HU120G3AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 30A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1200V | |
| Tipo di package | HU3PAK | |
| Serie | SCT | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 7 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 63mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 37nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 22 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 23W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 3.5mm | |
| Lunghezza | 18.58mm | |
| Larghezza | 14 mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 30A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1200V | ||
Tipo di package HU3PAK | ||
Serie SCT | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 7 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 63mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 37nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 22 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 23W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 3.5mm | ||
Lunghezza 18.58mm | ||
Larghezza 14 mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- JP
Il dispositivo MOSFET di potenza al carburo di silicio della STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando l'avanzata e innovativa tecnologia SiC MOSFET di terza generazione della ST. Il dispositivo è caratterizzato da un RDS(on) molto basso sull'intera gamma di temperature combinato con basse capacità e operazioni di commutazione molto elevate, che migliorano le prestazioni dell'applicazione in termini di frequenza, efficienza energetica, dimensioni del sistema e riduzione del peso.
Prestazioni di commutazione ad alta velocità
Diodo a corpo intrinseco molto veloce e robusto