MOSFET di potenza STMicroelectronics 650 V, 29 mΩ, 60 A, 7 Pin, HU3PAK, Superficie SCT027HU65G3AG

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
330-233
Codice costruttore:
SCT027HU65G3AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

HU3PAK

Serie

SCT0

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

29mΩ

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

60.4nC

Dissipazione di potenza massima Pd

300W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

3.5mm

Lunghezza

18.58mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
JP
Il dispositivo MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando l'avanzata e innovativa tecnologia MOSFET SiC di terza generazione di ST. Il dispositivo è caratterizzato da un RDS(on) molto basso sull'intera gamma di temperature combinato con basse capacità e operazioni di commutazione molto elevate, che migliorano le prestazioni dell'applicazione in termini di frequenza, efficienza energetica, dimensioni del sistema e riduzione del peso.

Certificazione AEC-Q100

RDS(on) molto basso per l'intero intervallo di temperatura

Prestazioni di commutazione ad alta velocità

Diodo a corpo intrinseco molto veloce e robusto

Pin di rilevamento della sorgente per una maggiore efficienza

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