MOSFET STMicroelectronics 1200 V, 18.5 mΩ, 90 A, HU3PAK SCT019H120G3AG

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
330-318
Codice costruttore:
SCT019H120G3AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

90A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Serie

SCT0

Tipo di package

HU3PAK

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

18.5mΩ

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

28nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

555W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Il dispositivo MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando l'avanzata e innovativa tecnologia MOSFET SiC di terza generazione di ST. Il dispositivo è caratterizzato da un RDS(on) molto basso sull'intera gamma di temperature combinato con basse capacità e operazioni di commutazione molto elevate, che migliorano le prestazioni dell'applicazione in termini di frequenza, efficienza energetica, dimensioni del sistema e riduzione del peso.

Certificazione AEC-Q100

RDS(on) molto basso per l'intero intervallo di temperatura

Prestazioni di commutazione ad alta velocità

Diodo a corpo intrinseco molto veloce e robusto

Pin di rilevamento della sorgente per una maggiore efficienza

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