MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N, 54 mΩ 600 V, 34 A Miglioramento, Superficie, 8 Pin STO67N60M6
- Codice RS:
- 206-8633
- Codice costruttore:
- STO67N60M6
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 206-8633
- Codice costruttore:
- STO67N60M6
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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Documentazione Tecnica
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Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 34A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 54mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 34A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 54mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
La tecnologia MDmesh M6 STMicroelectronics incorpora i più recenti sviluppi della famosa e consolidata famiglia MDmesh di MOSFET SJ. STMicroelectronics si basa sulla generazione precedente di dispositivi MDmesh attraverso la sua nuova tecnologia M6, che combina un eccellente miglioramento RDS(on) per area con uno dei comportamenti di commutazione più efficaci disponibili, nonché un'esperienza di facile utilizzo per la massima efficienza delle applicazioni terminali.
Riduzione delle perdite di commutazione
RDS(on) inferiore per area rispetto alla generazione precedente
Bassa resistenza di ingresso gate
Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga
Protezione Zener
Contenitore a scorrimento elevato
Eccellenti prestazioni di commutazione grazie al pin di alimentazione supplementare
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