STMicroelectronics, canale Tipo N, 21.5 mΩ, 60 A 650 V, HU3PAK, Superficie Miglioramento, 7 Pin SCT018HU65G3AG
- Codice RS:
- 671-934
- Codice costruttore:
- SCT018HU65G3AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 671-934
- Codice costruttore:
- SCT018HU65G3AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Normative
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 60A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | HU3PAK | |
| Serie | STPOWER Gen3 SiC MOSFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 7 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 21.5mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 82.5nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 388W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 5.15mm | |
| Lunghezza | 35.9mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 60A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package HU3PAK | ||
Serie STPOWER Gen3 SiC MOSFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 7 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 21.5mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 82.5nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 388W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 5.15mm | ||
Lunghezza 35.9mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- IT
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