MOSFET di potenza Infineon, canale Canale N 650 V, 40 mΩ, 64 A, 4 Pin, Nastro e avvolgicavo, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 762-940
- Codice costruttore:
- IPQC65R040CFD7XTMA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 unità*
7,74 €
(IVA esclusa)
9,44 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 28 agosto 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 9 | 7,74 € |
| 10 - 49 | 6,26 € |
| 50 - 99 | 4,80 € |
| 100 + | 3,84 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 762-940
- Codice costruttore:
- IPQC65R040CFD7XTMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Canale N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 64A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Tipo di package | Nastro e avvolgicavo | |
| Tipo montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 40mΩ | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 357W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 97nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 8.2mm | |
| Altezza | 2.35mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 64A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie CoolSiC | ||
Tipo di package Nastro e avvolgicavo | ||
Tipo montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 40mΩ | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 357W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 97nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 8.2mm | ||
Altezza 2.35mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- DE
L'Infineon 650 V CoolMOS CFD7A è l'ultima generazione di MOSFET CoolMOS ad alta tensione qualificati per il settore automobilistico leader del mercato. La nuova serie CoolMOS CFD7A fornisce un diodo corpo rapido integrato e può essere utilizzata per le tecnologie di commutazione PFC e risonante.
L'ultima tecnologia certificata per il settore automobilistico a 650 V
Alta qualità e affidabilità
Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga
Minori perdite di commutazione
Link consigliati
- MOSFET di potenza Infineon 17 mΩ 4 Pin Montaggio superficiale
- MOSFET di potenza Infineon 1.9 mΩ Miglioramento 8 Pin Montaggio
- MOSFET di potenza Infineon 1.25 mΩ Miglioramento 8 Pin Montaggio
- MOSFET di potenza Infineon 1.33 mΩ Miglioramento 8 Pin Montaggio
- MOSFET STMicroelectronics 30 A Nastro e avvolgicavo, Superficie
- MOSFET Infineon 64 A 650 V Foro passante Miglioramento, 3 Pin IMW65R026M2HXKSA1
- MOSFET Infineon 64 A 650 V Foro passante Miglioramento, 4 Pin IMZA65R026M2HXKSA1
- MOSFET Infineon 64 mΩ Miglioramento 4 Pin Foro passante
