MOSFET di potenza Infineon, canale Canale N 40 V, 1.25 mΩ Miglioramento, 199 A, 8 Pin, Nastro e avvolgicavo, Superficie
- Codice RS:
- 762-929
- Codice costruttore:
- IAUZN04S7L012ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 762-929
- Codice costruttore:
- IAUZN04S7L012ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | Canale N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 199A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | Nastro e avvolgicavo | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.25mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 94W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 0.95V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 42nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Lunghezza | 2.29mm | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Larghezza | 2.29mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale Canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 199A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package Nastro e avvolgicavo | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.25mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 94W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 0.95V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 42nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Lunghezza 2.29mm | ||
Altezza 1.1mm | ||
Larghezza 2.29mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- MY
Il transistor di potenza MOSFET per uso automobilistico Infineon è un MOSFET a canale N con modalità di potenziamento progettato per applicazioni automobilistiche. Funziona in condizioni di alta temperatura e presenta una struttura robusta. Qualificazione estesa oltre AEC-Q101.
Test elettrici migliorati
Design robusto
Conformità alla direttiva RoHS
Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga
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