MOSFET di potenza Infineon, canale N 40 V, 4.93 mΩ Miglioramento, 60 A, 8 Pin, Nastro e avvolgicavo, Superficie

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Codice RS:
762-976
Codice costruttore:
IAUZN04S7N049ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

Nastro e avvolgicavo

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.93mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

45W

Tensione diretta Vf

950mV

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10.5nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

1.1mm

Larghezza

2.29mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

2.29mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
MY
Il transistor di potenza MOSFET per uso automobilistico Infineon è un MOSFET a canale N con modalità di potenziamento progettato per applicazioni automobilistiche. Funziona in condizioni di alta temperatura e presenta una struttura robusta. Qualificazione estesa oltre AEC-Q101.

Test elettrici migliorati

Design robusto

Conformità alla direttiva RoHS

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

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