MOSFET di potenza Infineon, canale Canale N 40 V, 3.05 mΩ Miglioramento, 60 A, 8 Pin, Nastro e avvolgicavo, Superficie

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Codice RS:
762-973
Codice costruttore:
IAUZN04S7L030ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

OptiMOS

Tipo di package

Nastro e avvolgicavo

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.05mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

0.95V

Dissipazione di potenza massima Pd

58W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

18nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

2.29mm

Altezza

1.1mm

Larghezza

2.29mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
MY
Il transistor di potenza MOSFET per uso automobilistico Infineon è un MOSFET a canale N con modalità di potenziamento progettato per applicazioni automobilistiche. Funziona in condizioni di alta temperatura e presenta una struttura robusta. Qualificazione estesa oltre AEC-Q101.

Test elettrici migliorati

Design robusto

Conformità alla direttiva RoHS

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

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