MOSFET Infineon, canale N 40 V, 1.5 mΩ Miglioramento, 193 A, 3 Pin, TO-220, Montaggio superficiale

Codice RS:: 260-1057
Codice costruttore:: IPP015N04NF2SAKMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 40 V, 1.5 mΩ Miglioramento, 193 A, 3 Pin, TO-220, Montaggio superficiale

Prezzo per 1 tubo da 1000 unità*

658,00 €

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Codice RS:: 260-1057
Codice costruttore:: IPP015N04NF2SAKMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	193A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	40V
	Serie	IPP
	Tipo di package	TO-220
	Tipo montaggio	Montaggio superficiale
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	1.5mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	860mV
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	106nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	188W
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Larghezza	10.67mm
	Lunghezza	15.8mm
	Standard/Approvazioni	IEC 61249-2-21, RoHS
	Altezza	4.75mm
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Infineon
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 193A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V
	Serie IPP
	Tipo di package TO-220
	Tipo montaggio Montaggio superficiale
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.5mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 860mV
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 106nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 188W
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Larghezza 10.67mm
	Lunghezza 15.8mm
	Standard/Approvazioni IEC 61249-2-21, RoHS
	Altezza 4.75mm
	Standard automobilistico No

Datasheet - IPP015N04NF2SAKMA1

MOSFET Infineon serie IPP, tensione massima drain-source di 40 V, corrente di drenaggio continua massima di 193 A - IPP015N04NF2SAKMA1

Questo MOSFET è un transistor a canale N ad alta corrente progettato per la commutazione di potenza e il controllo del carico in sistemi elettronici impegnativi. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è fornito in un contenitore TO-220 a foro passante adatto per i metodi convenzionali di dissipazione e assemblaggio. Il dispositivo è conforme agli standard ambientali e dei materiali specificati ed è progettato per l'uso nei casi in cui è richiesta una bassa perdita di conduzione e una notevole capacità di corrente continua.

Caratteristiche e vantaggi:

• Rds(on) di 1,5 mΩ riduce le perdite di conduzione e migliora l'efficienza
• La dissipazione di potenza di 188 W supporta un funzionamento a carico elevato sostenuto
• La tensione diretta di 0,86 V riduce la caduta di tensione durante la conduzione
• La carica di gate tipica di 106 nC consente prestazioni di commutazione prevedibili
• La tensione massima del gate di 20 V preserva l'integrità del gate sotto i segnali di controllo

Applicazioni

• Adatto per le fasi di commutazione primarie dell'alimentazione
• Ideale per gli stadi di uscita dell'azionamento del motore che richiedono corrente elevata
• Utilizzato con dissipatori di calore per convertitori industriali ad alta potenza
• Può essere utilizzato per la gestione della batteria in sistemi ad alta corrente

Quali temperature estreme può tollerare durante il funzionamento?

È progettato per funzionare da -55 °C fino a 175 °C.

Quanti pin presenta il dispositivo per il montaggio su circuito stampato?

È dotato di una configurazione a tre pin compatibile con i layout standard TO-220.

È conforme alle norme ambientali o sui materiali?

È conforme ai requisiti RoHS e alle specifiche IEC 61249-2-21.

Quale modalità e tipo di conduzione del canale utilizza?

Si tratta di un dispositivo a canale N in modalità di potenziamento.

Qual è la capacità di corrente continua massima?

È specificato per trasportare fino a 193 A in modo continuo.