MOSFET Infineon, canale N 950 V, 120 mΩ Miglioramento, 6 A, 3 Pin, TO-220, Superficie
- Codice RS:
- 219-5990
- Codice costruttore:
- IPA95R1K2P7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Al momento non disponibile
Siamo spiacenti, ma non sappiamo quando questo prodotto sarà di nuovo disponibile.
- Codice RS:
- 219-5990
- Codice costruttore:
- IPA95R1K2P7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 6A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 950V | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 120mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 27W | |
| Tensione diretta Vf | 900mV | |
| Temperatura massima di funzionamento | +150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 6A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 950V | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 120mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 27W | ||
Tensione diretta Vf 900mV | ||
Temperatura massima di funzionamento +150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET CoolMOS Infineon serie P7, tensione massima della sorgente di drenaggio di 950 V, corrente di drenaggio continua massima di 6 A - IPA95R1K2P7XKSA1
Questo MOSFET è un transistor a canale N con potenziamento ad alta tensione progettato per applicazioni di commutazione di potenza in cui sono richieste prestazioni termiche ed elettriche sostenute. Funziona in un ampio intervallo di temperatura ambiente ed è fornito in un contenitore TO‐220 a foro passante adatto per installazioni montate, offrendo un equilibrio tra gestione della tensione, capacità di corrente e tolleranza gate‐drive per l'uso in conversione di potenza e circuiti di commutazione.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale di 950 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 6 A supporta carichi di potenza moderati
• Rds(on) di 120 mΩ garantisce basse perdite di conduzione durante la commutazione
• La dissipazione di potenza di 27 W consente un carico termico prolungato
• La tensione diretta di 0,9 V riduce al minimo la caduta di conduzione correlata a Vf
• Il valore nominale gate‐source di 30 V consente di utilizzare le comuni tensioni gate‐drive
• La corrente di drenaggio continua di 6 A supporta carichi di potenza moderati
• Rds(on) di 120 mΩ garantisce basse perdite di conduzione durante la commutazione
• La dissipazione di potenza di 27 W consente un carico termico prolungato
• La tensione diretta di 0,9 V riduce al minimo la caduta di conduzione correlata a Vf
• Il valore nominale gate‐source di 30 V consente di utilizzare le comuni tensioni gate‐drive
Applicazioni
• Adatto per alimentatori e convertitori ad alta tensione
• Ideale per il lato primario dell'alimentatore switching offline
• Utilizzato per la commutazione di potenza industriale e i driver dei motori
• Può essere utilizzato per circuiti di bloccaggio e snubber HV
• Utilizzato con gruppi di alimentazione che richiedono il montaggio TO‐220
• Ideale per il lato primario dell'alimentatore switching offline
• Utilizzato per la commutazione di potenza industriale e i driver dei motori
• Può essere utilizzato per circuiti di bloccaggio e snubber HV
• Utilizzato con gruppi di alimentazione che richiedono il montaggio TO‐220
Quale intervallo di temperatura ambiente può tollerare?
È specificato per funzionare tra -55 °C e +150 °C.
Quanti pin e quale approccio di montaggio utilizza?
È dotato di tre pin ed è progettato per il montaggio a foro passante in un contenitore TO‐220.
Quale modalità e tipo di canale utilizza?
Si tratta di un dispositivo a canale N in modalità di miglioramento.
Qual è la tensione massima di drenaggio e le sue implicazioni?
La tensione massima di drenaggio è di 950 V, consentendo l'uso in circuiti ad alta tensione.
Quali sono i limiti elettrici che regolano l'ingresso del gate?
La tensione gate-source non deve superare i 30 V.
Link consigliati
- MOSFET Infineon 120 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IPA95R1K2P7XKSA1
- MOSFET Infineon 4.1 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 4.1 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IPP041N12N3GXKSA1
- MOSFET Infineon 120 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 2 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 3 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 120 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 120 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IPP60R120C7XKSA1
