MOSFET Infineon, canale Tipo N 800 V, 600 mΩ Miglioramento, 8 A, 3 Pin, TO-220, Superficie
- Codice RS:
- 219-5986
- Codice costruttore:
- IPA80R600P7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,108 € | 55,40 € |
| 100 - 200 | 0,886 € | 44,30 € |
| 250 - 450 | 0,842 € | 42,10 € |
| 500 - 950 | 0,798 € | 39,90 € |
| 1000 + | 0,765 € | 38,25 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 219-5986
- Codice costruttore:
- IPA80R600P7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 8A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 800V | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 600mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 8A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 800V | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 600mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
La serie di MOSFET a super giunzione Infineon 800V CoolMOS P7 è perfetta per applicazioni SMPS a bassa potenza soddisfacendo pienamente le esigenze del mercato in termini di prestazioni, facilità d'uso e rapporto prezzo/prestazioni. Si concentra principalmente sulle applicazioni flyback, tra cui adattatore e caricabatterie, driver LED, SMPS audio, AUX e potenza industriale. Questa nuova famiglia di prodotti offre un guadagno di efficienza fino allo 0,6% e una temperatura del MOSFET inferiore da 2 °C a 8 °C rispetto al modello precedente, nonché alle parti della concorrenza testate in applicazioni flyback tipiche. Consente inoltre progetti con maggiore densità di potenza grazie a minori perdite di commutazione e prodotti DPAK R DS(on) migliori. Nel complesso, aiuta i clienti a risparmiare sui costi delle distinte materiali e a ridurre gli sforzi di assemblaggio.
Facile da guidare e da progettare
Migliore resa di produzione grazie alla riduzione dei guasti legati alle ESD
Meno problemi di produzione e minori ritorni sul campo
Parti giuste facili da selezionare per la regolazione fine dei progetti